低溫等離子體技術處理工藝設計在封裝工藝中的使用：
sip、bga、csp等封裝技術的發展使半導體器件朝著模塊化、高集成度和小型化方向發展。這類封裝組裝工藝存在的主要問題是：填料粘結處有有機物污染，電加熱時形成氧化膜等。粘結表面存在污染物，使元件的粘結強度和封裝后樹脂的灌封強度降低，直接影響了元件的裝配水平和持續發展。為了提高和改進這些元件的裝配能力，大家都在想方設法解決這個問題。改進實踐表明，在封裝工藝中適當引入低溫等離子體技術處理工藝設計的使用，可大大提高封裝的可靠性，提高成品率。
采用cog工藝在玻璃基片(lcd)上安裝裸晶片ic，當晶片被粘合后經過高溫硬化后，在低溫等離子體技術處理時粘合填料表面有基體成分析出。同時也經常會有粘結填料上的粘結劑如ag漿料等溢出成分污染。在熱壓聯鎖過程之前，使用低溫等離子體技術可以除去這些污染物，那么熱壓聯鎖的質量可以大大提高。此外，由于襯底與裸晶片表面的潤濕性均有所改善，lcd-cog模塊的結合密接性也有所改善，同時線材腐蝕問題也有所改善。